镱铒共掺Al2O3薄膜上转换机理及其温度特性 2008-12-4 18:51:47
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·中文摘要： 采用中频磁控溅射法制备了镱铒共掺Al2O3薄膜，铒镱掺杂浓度分别为0.3%，3.6%(摩尔分数，全文同).讨论了三价铒离子529nm和549nm光致发光的上转换机理.在291.8—573.3K温度区间测量了两绿上转换光谱荧光强度比的温度特性，拟合表达式为R=5.37exp(-738/T).366 K温度时灵敏度最大，
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掺杂ZnSe/BeTe Ⅱ型量子阱结构中带电激子的磁场效应 2008-12-4 18:50:32
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·中文摘要： 报道了n型掺杂ZnSe/BeTe/ZnSe Ⅱ型量子阱(type-Ⅱ QW)在极低温 (5—10 K)条件下的各种光学性质. 磁场中(Farada配置)ZnSe层的反射光谱展示了一个典型的负的带电激子(X-)的跃迁特征. 对于空间间接光致发光(spacially indirect PL)光谱，它的主发光峰显示了一个反
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镁含量和热处理对Zn1-xMgxO薄膜结构和发光性能的影响 2008-12-4 18:49:05
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·中文摘要： 采用溶胶-凝胶工艺在玻璃衬底上制备了Zn1-xMgxO(x=0.1,0.2,0.3, 0.4,0.5,0.6,0.7)薄膜.X射线衍射谱(XRD)测试结果发现，在 0.1<x<0.3 范围内，薄膜仍然保持氧化锌六角纤锌矿结构，(002)面衍射峰位向大角度方向移动，超过0.3时出现氧化镁立方相.对镁含量为0
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铱金属配合物磷光材料掺杂聚合物体系的电致发光特性 2008-12-4 18:47:10
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·中文摘要： 通过对一种新型贵金属铱的配合物磷光材料(pbi)2Ir(acac)与咔唑共聚物进行物理掺杂, 制备了结构为indium-tin oxide(ITO)/poly(N-vinylcarbazole)(PVK): (pbi)2Ir(acac)(x)/2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenan
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(CdZnTe, ZnSeTe)/ZnTe复合量子阱中激子隧穿过程 2008-12-4 18:45:54
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·中文摘要： 设计了(CdZnTe,ZnSeTe)/ZnTe复合量子阱结构，并用吸收光谱、室温光致发光谱和飞秒脉冲抽运-探测方法研究了该复合结构中的激子隧穿过程.分别测量了该结构中CdZnTe/ZnTe量子阱层和ZnSeTe/ZnTe量子阱层中激子衰减时间.观察到从CdZnTe/ZnTe量子阱层向ZnSeTe/ZnTe量子阱层的快
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立方氮化硼薄膜的光学带隙 2008-12-4 18:44:09
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·中文摘要： 用射频溅射法在p型Si(100)衬底上沉积立方氮化硼(c-BN)薄膜，薄膜的成分由傅里叶变换红外谱标识，用紫外-可见分光光度计测量了c-BN薄膜的反射光谱，利用K-K(Kramers-Kroning)关系从反射谱计算出c-BN薄膜的光吸收系数，进而确定c-BN薄膜的光学带隙.对于立方相含量为55.4%的c-BN薄膜，
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脉冲偏压电弧离子镀CNx薄膜研究 2008-12-4 18:42:38
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·中文摘要： 用脉冲偏压电弧离子镀通过控制不同的氮流量在(100)单晶Si基片上制备了不同成分的CNx薄膜.用光学显微镜，XPS，XRD，激光Raman和Nanoindenter等方法研究了薄膜的形貌、成分、结构和性能.结果表明，薄膜表面平整致密、氮含量随着氮流量的降低而降低、结构为非晶且为类金刚石薄膜；随着氮含量从18.9%降低
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N型4H-SiC同质外延生长 2008-12-4 18:40:47
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·中文摘要： 利用水平式低压热壁CVD (LP-HW-CVD) 生长系统，台阶控制生长和衬底旋转等优化技术，在偏晶向的4H-SiC Si(0001) 晶面衬底上进行4H-SiC同质外延生长，生长温度和压力分别为1550℃和104 Pa，用高纯N2作为n型掺杂剂的4H-SiC原位掺杂技术，生长速率控制在5μm/h左右.采用扫描电镜(
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数值模拟探针诱导表面等离子体共振耦合纳米光刻 2008-12-4 18:39:05
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·中文摘要： 采用有损耗介质和色散介质的二维时域有限差分方法，数值模拟了以光波长514.5nm的p偏振基模高斯光束为入射光源，激发Kretschmann型表面等离子体共振，并通过探针的局域场增强效应实现纳米光刻的新方法——探针诱导表面等离子体共振耦合纳米光刻.分别就探针与记录层的间距以及探针针尖大小，模拟分析了不同情况下探针的局域
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N型4H-SiC同质外延生长 2008-12-4 18:35:57
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·中文摘要：中文摘要： 利用水平式低压热壁CVD (LP-HW-CVD) 生长系统，台阶控制生长和衬底旋转等优化技术，在偏晶向的4H-SiC Si(0001) 晶面衬底上进行4H-SiC同质外延生长，生长温度和压力分别为1550℃和104 Pa，用高纯N2作为n型掺杂剂的4H-SiC原位掺杂技术，生长速率控制在5μm/h左右.采用
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基于双谱的脉冲星累积脉冲轮廓时间延迟测量 2008-12-4 18:34:24
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·中文摘要： 为提高脉冲星辐射脉冲到达时间的测量精度，提出了基于双谱的脉冲星累积脉冲轮廓时间延迟测量算法.理论上，双谱可以完全抑制加性高斯白噪声.通过进行自双谱与互双谱的比对及求解极值点，推导出时间延迟测量公式.实验结果表明，基于双谱的时间延迟测量算法可以有效抑制高斯白噪声，当累积脉冲轮廓观测值存在噪声项时，基于双谱的累积脉冲轮廓
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地基高频加热激励ELF/VLF波对辐射带高能电子的准线性散射 2008-12-4 18:32:37
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·中文摘要： 地球内、外辐射带电子通量的变化对于空间飞行器，尤其是中低轨卫星的防护有着非常重要的影响.基于回旋共振波粒相互作用的准线性理论，使用地基高频发射器发射电波调制低电离层背景电流可以人工激励ELF/VLF波，这些波能使辐射带相对论电子发生抛射角散射沉降进入大气层从而降低其生存期.为了定量地分析人工激励ELF/VLF波散射辐
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斜程大气湍流中漫射目标的散射特性 2008-12-4 18:30:36
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·中文摘要： 根据推广的惠更斯-菲涅尔原理及ITU-R大气结构常数模型(2001年国际电信联盟提出的随高度变化的大气结构常数模型)，考虑了大气湍流对激光从发射机到目标和从目标到接收机双程路径的影响，研究了大气湍流中漫射目标的激光波束散射问题，导出了考虑对数振幅起伏和相位占优情况下在斜程大气湍流中传输时激光波束散射场的互相关函数、强
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有限区域风场分解方法及其在台风SAOMEI研究中的应用 2008-12-4 18:27:55
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·中文摘要： 介绍了有限区域水平风场分解的调和-余弦计算方法，该方法把函数分成两部分之和.第一部分是Laplace方程在给定边界条件下的解，由于Laplace方程的解是调和函数，这个部分可称为调和部分，又因为其与区域内部值无关，也称外部部分.第二部分是原始函数与调和部分之差，这个函数是齐次边条件下Poisson方程的解，只与区域内
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可信计算环境证明方法研究 2008-12-4 18:20:45
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·摘要 首先分析了可信计算环境下多远程证明实例执行的动态性、并发性、一致性等问题，提出了一个完整的可信计算环境多远程证明实例动态更新证明方案，以保证通信双方终端计算环境的可信.然后阐述了主要由计算环境组件度量算法、会话组件树计算算法和多远程证明实例证明协议组成可信计算环境证明方法.最后对该证明方法的安全性和效率进行分析，并构建原型系统论证证明方案的可行性和高性能.关键词 可信计算；远程证明实例；组件
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国产设备纺制高支毛纱探讨 2008-12-2 19:22:47
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·摘要探讨了国产设备纺制高支毛纱的纺纱工艺流程、工艺参数及相关技术间题。关键词毛涤混纺纱条干复精梳自调匀整捻度前言目前国际上精纺面料都在向轻薄型方面发展,为适应生产轻薄织物的要求, 一些工厂引进了海外先进的纺纱设备, 但国内多数精纺厂还是以国产设备为主。对此, 我们对国产设备纺制高支纱的工艺技术进行了探讨。
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精纺高支毛纱纺纱工艺探讨 2008-12-2 19:20:56
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·内容提要本文通过对引进设备性能的了解, 选择适应的原料和工艺方案、纺制高支纯毛针织纱, 为批量生产提供良好的依据, 确保优良的产品质量。护舍居苦熟本
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高校教学档案管理创新机制构建 2008-12-2 19:17:23
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·国家教委在《高等学校档案管理办法》中强调：“各高等学校必须加强对档案工作的领导，把档案工作纳入学校的整体规划之中”。从而将高校档案从法律和法规上纳入了国家、社会和学校管理范围，体现了高校档案管理工作的重要性和社会性。高校教学档案是指教学管理和教学实践活动中直接形成的具有保存价值的文字、图表及声像材料。它是各系、部教研室教研人员进行教学活动和课题研究的成果，是教学教研水平的真实记录，在教学改革和教学
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高支毛纱的纺制技术 2008-12-2 19:06:02
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·摘要主要就高支毛纱在纺制过程中对原料的选择、工艺参数的选择及设备的配显进行初步探讨和研究。关键词高支毛纱纺制技术高支轻薄型毛纺织物的生产用纱, 常用
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国外高支精梳毛纱的纺纱技术和应用 2008-12-2 18:59:53
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·由于国内外市场对高支精纺毛织品需求不断增加,高支毛纱纺纱技术在国内外日益受到重视并被推广应用。文章结合我国的国情介绍了国外先进的高支精梳毛纱的纺纱技术研究情况,并对其中的关键技术作了详细的介绍。 【英文摘要】 As the requirement of fine worsted yarns getting increase,the technology of the spinning are pa
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