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ZnO纳米线场效应管的制备及I-V特性研究 |
| 资料大小： 222 K |
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| 资料作者： 论文发表… |
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| 资料类别： 理工ABC |
| 添加时间： 2008-9-14 8:19:19 |
| 下载次数： 本日： 本月： 总计： |
| 资料添加： 审核:enjiatu 录入:enjiatu |
| 中文摘要： |
| 采用静电探针和原子力探针技术，将化学气相沉积工艺制备的，长度为30—200 μm，直径80—750 nm的单根半导体ZnO纳米线搭接在Au，Zn，Al不同功函的金属隔离沟道两端，构建出了最基本的ZnO纳米线绝缘栅场效应管. 研究了沟道类型、纳米线直径、退火温度和外加栅压对ZnO纳米线场效应管I-V特性的影响. 利用半导体与金属材料的肖特基接触、欧姆接触的产生机理及电子输运理论，对结果进行了分析和讨论. |
| 英文摘要： |
| The ZnO nanowire-based insulation gate field effect transistors were fabricated by connecting single ZnO nanowires across three kinds of symmetrical metal trenches (Au, Zn and Al thin films) with different widths. In the testing processes, the traditional ion beam eroding technology, electronic probe, and atom force microscopy probe methods were employed. The I-V characteristics of various synthesized ZnO nanowire-based devices were researched. The results showed that the main effecting factor on the I-V characteristic is the type of contact between the ZnO nanowire and the surface of different trenches, which may be of the Ohmic or the Schottky contact type in different cases. Finally, the I-V characteristics of the fabricated devices had been discussed by using the electron transport mechanism. | |
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